Данные научные поиски были обусловлены существующей проблемой в RAM – низкой энергоэффективностью, несмотря на то, что со временем скорости увеличиваются. В новой модели данная проблема устранена за счет соединения электрических и магнитных компонентов. Это позволило, по словам директора Института радиотехники и электроники РАН Сергея Никитова, увеличить скорость при значительно меньших затратах (в тысячи раз) энергии.
Являясь очень практичным продуктом, новый тип ОЗУ потенциально способен нарушить «монополию» RAM. Кроме того, он способен при небольших размерах вечно хранить данные.
Ранее также стало известно, что российских ученых привлекут к разработке программного обеспечивания для Большого адронного коллайдера.
Также читайте: