Как пояснили представители южнокорейской компании, новая микросхема памяти типа LPDDR4 на 8 ГБ включает в себя четыре 16-гигабитных чипа LPDDR4 и базируется на 10-нанометровом технологическом процессоре. Скорость работы такого чипа достигает 4266 Мбит/с., что позволяет производить даже самые ресурсозатратные операции в считанные секунды. Примечательно, что энергии такая ОЗУ-микросхема потребляет столько же, сколько и ее 4-гигабайтная предшественница.
Вице-президент подразделения Memory Sales & Marketing компании Samsung Electronics Джу Сан Чой рассказал, что выход микросхемы DRAM на 8 ГБ в расширит возможности будущих поколений флагманский мобильных устройств, потребности которых также возрастут с учетом новых функций, таких, как, например, двойная камера или поддержка 4K UHD и VR.
Также читайте:
Моргенштерн перевел миллион рублей подростку-гардеробщику, спасшему более ста человек в «Крокусе» (+ВИДЕО)
В России призвали создать структуру по ликвидации организаторов терактов
Выросло число жертв теракта в «Крокусе»
Новые кадры с места проведения спецоперации в Дагестане: боевики выявлены после теракта 22 марта (ВИДЕО)
Пострадавшие в результате теракта начали получать первые компенсационные выплаты